2023 年 4 月，我們在 Due Diligence 產品中推出了專利概要 (Patent Summary) 功能，透過快速專利分類和摘要，轉變了專利分析的作業模式。使用者不再需要逐字閱讀每一篇專利，就能迅速了解專利技術。
同年 9 月，我們將專利概要功能加入 Quality Insights 產品，大幅加速前案檢索 (prior art search) 的效率。
2024 年 2 月，我們很高興宣布專利概要功能也將整合進 Patent Vault，進一步簡化專利管理和分析流程，並顯著改善專利風險評估 (FTO searches) 。
我們將以碳化矽 (SiC) 半導體專利布局為例，說明專利概要功能如何加速專利分析。此案例也凸顯了我們致力於用創新、易於使用的工具，讓使用者更有效率地完成專利工作。
目錄
專利概要如何運作：語意分析與生成式人工智慧的完美結合
專利概要是孚創雲端獨家語意技術和生成式人工智慧 (GPT) 整合的結晶。專利會先根據技術內容進行精確分類。這種方法確保同一類別中的專利具有緊密的技術聯繫，而不同類別中的專利則存在差異。之後則會透過生成式 AI 來對每個類別提供精簡摘要，讓使用者能夠快速理解專利的技術核心，而無需逐一閱讀個別文件。
專利概要功能可以同時摘要多達 10 萬筆專利資料，提供全面且高效的分析。同時，沒有任何使用者或專利的可識別資料流出，所以也能兼顧使用者隱私和資料機密性需求。
專利概要先前已應用於 Due Diligence 和 Quality Insights 產品，讓使用者可以快速理解專利創新，並加速前案搜索，從而提加快專利分析和日常專利工作的效率。
圖 1：專利概要功能，來源：孚創雲端
Patent Vault 如何利用自動分類和摘要加速專利分析
Patent Vault 透過允許使用者將專利儲存到資料夾進行有效管理，並可進一步用於專利分析。本次整合專利概要功能，讓使用者可以用 AI 自動分類取代手動分類，從而簡化了專利管理和分析。Patent Vault 中的專利概要可以一次產生 3 層的分類結構，更便利於專利分類，並且提供了一個了解專利技術分布的便捷途徑。
專利概要可以進一步與篩選、二次檢索等功能結合產生更多的綜效，可以提供更方便的專利分析，例如依據公司、法律狀態、國家和專利品質、價值等深度資料篩選後，進一步產生摘要，進而比較不同競爭者在不同國家、狀態或者具有不同專利品質、價值的專利技術內容。
圖 2：在 Patent Vault 中使用專利概要建立資料夾，來源：孚創雲端
專利概要更可以讓使用者直接將選定的類別轉換為資料夾，或將選定類別中的專利新增到其它資料夾，進而讓建立技術分類資料夾更便利，有助於分析競爭者專利佈局或者評量專利風險。
對於複雜的技術分類需求，使用者可以直接用專利概要來建立資料夾，甚至支持超過 3 層的分類，以 Patent Vault 每個專案的限制而言，最多可以建立 10 層結構和 1,000 個資料夾。專利概要的類別名稱以提供更多資訊以便於了解專利技術內容為主，使用者可以自行修改讓資料夾名稱更簡潔。未來我們也會實驗如何提供基於 GPT 的重新命名功能，讓使用者可以重複生成資料夾名稱直到滿意為止。
圖 3：專利概要與螢光筆功能，來源：孚創雲端
Patent Vault 中的專利概要也支持 Patentcloud 的螢光筆功能整合，讓使用者直接套用已經設定好的關鍵字偏好，讓產生的摘要更易讀，更容易選擇相關分類來產生資料夾，讓進階分析更便利。
如要獲得更生動的解釋，歡迎觀看我們最新的說明影片。
案例分析：以碳化矽 (SiC) 半導體專利為例
如下圖所示，我們用專利概要功能展開了碳化矽 (SiC) 半導體專利的技術分類結構。碳化矽是第三代半導體材料，如今越來越頻繁地被採用於高電流通量的應用，並在電動汽車和可再生能源等產業扮演越來越重要的角色。
圖 4：以專利概要展開的碳化矽 (SiC) 半導體技術分類，來源：孚創雲端
在檢索條件的設定上，我們除了確保與半導體相關外，也要求在專利名稱、摘要、權利項中出現有關 SiC 半導體的用語。若出現在說明書，我們也要求專利分類必須與 SiC 半導體有直接的關聯。採用以上檢索條件，某些材料層可以採用 SiC 材料且專利局判斷為與 SiC 半導體技術相關的通用半導體結構、製程等專利也不會遺漏。
除了與半導體相關的搜索標準之外，我們的搜索條件還要求在標題、摘要、權利要求書以及包含與 SiC 相關的專利分類的說明書中出現與 SiC 相關的術語。這使許多通用半導體工藝專利成為關注焦點，特別是那些提及用於專利分類認為相關的特定層的 SiC 材料的專利。憑藉專利概要功能，這種方法現在可以在檢索中平衡全面性和精確性，這對於針對性技術調查尤為重要。您可以使用更廣泛的搜索詞，並使用專利概要功能過濾相關結果。
採用專利概要功能下，尤其是針對較為特定、具體的技術特徵所進行的專利檢索，使用者可以透過採用較廣泛的檢索條件，搭配選取相關的自動生成類別，來兼顧專利檢索的齊全度與精準度。
在 Patent Vault 中，使用者透過進階分析功能來產生專利矩陣 (Patent Matrix)，比較主要專利權人在 SiC 半導體領域的專利技術布局重點。下圖展示的分析以專利家族為單位，分析在至少一個半導體產業相對關鍵的國家中具有有效中或者申請中成員的專利家族。這些國家或者專利局包括了台灣、美國、日本、韓國、中國、歐洲和 PCT 申請案。比較專利權人和技術分布，我們將發現，若包含採用 SiC 材料的一般 FinFET 半導體結構、製程相關專利，即以一個比較廣泛的 SiC 半導體生態系的角度來看，沒有任何權利人從數量上可以和台積電 (TSMC) 相提並論，但有些權利人在特定應用或者技術布局反超過了 TSMC。
圖 5： SiC 半導體專利矩陣 (Patent Matrix) ：技術分類對應主要專利權人，來源：孚創雲端
透過前述結論可以歸納，以 TSMC 競爭者為定位的半導體巨擘，例如三星或者 Intel 等公司而言，至少整體 SiC 半導體生態系相關專利布局而言，與 TSMC 還有明顯差距。而對於 SiC 半導體生態系中，尤其是 TSMC 的供應商和客戶而言，則還有機會如化合物半導體等細分領域建立專利壁壘，例如：Fuji Electric 、Mitsubishi 和 Infineon 分別在 SiC UMOSFET, IGBT 和高電壓二極體製造的專利布局，或者 Sumitomo 在 HEMT 等特殊積體電路製造技術的專利布局等。雖然以上發現對於本領域從業人員而言，或許稍顯粗糙，但需要注意的是，Patent Vault 可以讓使用者花費不到 1 小時時間即可得到這些資料與報表。
不僅限於比較不同權利人的專利布局，專利矩陣可以支持更靈活的操作，包括檢視專利在專利申請日、狀態、專利局和專利品質、價值的分布情況。例如：Mitsubishi 從 2016 年來在 SiC 半導體製造相關專利申請明顯活躍，並在 2021 年達到高峰，這也可以說明公司專利布局的重點與脈絡。
圖 6：Mitsubishi 在 SiC 和 GaN 半導體專利布局脈絡，來源：孚創雲端
專利概要功能結合篩選器，還可以快速動查一家公司在特定技術的專利布局，以 Mitsubishi 為例，主要集中在具有二極管的碳化矽 MOSFET，有一小部分則與雙向溝槽柵極電荷儲存型 IGBT 有關。透過專利該要與權利人篩選結合，就可以快速了解一家公司專利布局重點，以及隨時間進展的演變。
圖 6：Mitsubishi 在 SiC 半導體結構與製造技術的專利概要，來源：孚創雲端
如需要更多詳細信息，或對 SiC 半導體專利技術分類資料感興趣，請直接聯繫我們。您可以向我們索取免費試用，充分體驗新的專利概要功能如何協助您的需求制訂技術分類、專利地圖。
結論：用專利概要得到深入洞察
專利概要不僅透過 AI 驅動簡化了專利技術分類，搭配 Patent Vault 可以提供快速、全面的技術脈絡和競爭情報，讓我們可以快速掌握一個技術領域的專利全景。
通過 SiC 半導體專利案例，我們可以了解 Patent Vault 搭配專利概要功能如何以其強大功能協助我們進行專利分析：可以快速讓我們了解不同權利人的專利技術布局重點，進而可以進行更深入的比較。
無論是希望取得 SiC 半導體專利地圖更多詳細資訊，或根據您的需求研究其它領域，您可以聯繫我們更進一步探索 Patent Vault 和專利概要搭配如何為您專利檢索、分析帶來便利與變革。
